在半導體制造工藝中，氯氣（Cl?）主要應用于以下關(guān)鍵環(huán)節(jié)，這些環(huán)節(jié)均基于其強氧化性和化學反應特性，實現(xiàn)對半導體材料的精準加工或清潔：

一、晶圓干法蝕刻

工藝目的：通過化學反應精確去除晶圓表面特定區(qū)域的半導體材料（如硅、硅化物等），構(gòu)建微米級或納米級電路圖案。
氯氣作用：氯氣作為核心蝕刻氣體，在等離子體環(huán)境下分解為氯自由基（Cl·），與硅（Si）發(fā)生化學反應（Si + 2Cl? → SiCl?↑），生成易揮發(fā)的四氯化硅氣體，從而實現(xiàn)對晶圓特定區(qū)域的“選擇性刻蝕"，確保電路圖案的精度（如線寬偏差＜0.1μm）。

二、光刻膠剝離

工藝目的：清除光刻工藝后殘留的光刻膠（一種光敏聚合物材料），避免其影響后續(xù)離子注入、金屬沉積等工藝的潔凈度。
氯氣作用：氯氣與氧氣（O?）混合形成等離子體，與光刻膠中的有機成分發(fā)生氧化反應，將光刻膠分解為CO?、H?O及含氯揮發(fā)性物質(zhì)，通過抽氣系統(tǒng)排出，實現(xiàn)晶圓表面的清潔。

三、離子注入后清洗

工藝目的：離子注入工藝（向晶圓摻雜雜質(zhì)以調(diào)整導電性）后，清除晶圓表面殘留的雜質(zhì)離子、光刻膠殘渣及反應副產(chǎn)物。
氯氣作用：氯氣的強氧化性可分解殘留的有機污染物（如光刻膠碎片），同時與金屬雜質(zhì)離子形成可溶性氯化物，通過后續(xù)濕法清洗去除，確保晶圓表面潔凈度符合半導體工藝要求（顆粒度＜0.1μm）。

以上環(huán)節(jié)中，氯氣的應用直接關(guān)系到半導體器件的性能（如蝕刻精度、電路導通性）和良率，是半導體制造中的關(guān)鍵輔助材料。

在線式氯氣氣體檢測儀采用高性能智能化氣體傳感器，是一款可在線氣體進行連續(xù)在線監(jiān)測的高性能儀器。探測器整體隔爆結(jié)構(gòu)，靈敏度及精度高。在線式氯氣氣體檢測儀探測器通過氣體報警控制器及監(jiān)控管理軟件在電腦上可以實現(xiàn)實時濃度顯示，也可以通過選配的無線模塊將實時的監(jiān)測數(shù)據(jù)和報警狀態(tài)傳到安全控制中心

在線式氯氣氣體檢測儀信號傳輸方式

三芯（四芯）屏蔽電纜傳輸：最遠可傳輸1000米至2000米（單芯1平方屏蔽電纜）

光纖傳輸：最遠可傳輸20～40公里，光纖MODEM單模多芯傳輸（選配）

GPRS無線傳輸：無距離限制，內(nèi)置模塊，通過運營商信號傳輸（選配）